| 内容 |
1、面试时间：外语成绩线公布之后
2、面试形式：提问
3、面试内容：
第一部分：半导体器件物理
重点考察考生在半导体基本概念、器件物理基础、深亚微米器件物理知识方面掌握和理解的程度以及分析问题和解决问题的能力。
（1）半导体能带理论及其计算方法；
（2）半导体中载流子的输运理论；
（3）半导体中热、电、磁、光、压阻等效应机理；
（4）半导体器件（MOSFET、BJT）基本原理与非理想效应；
（5）化合物半导体材料特性及器件；
（6）半导体超晶格及二维电子气。
主要参考书目
（1）《半导体物理学》，刘恩科等编，电子工业出版社；
（2）《半导体物理与器件》(美) ，赵毅强、姚素英等译，电子工业出版社；
（3）《现代半导体器件物理》，施敏（美），刘晓彦、贾霖、康晋锋译，科学出版社。
第二部分：电介质理论
重点考察考生在电介质物理基本概念、电介质极化、电导、交变电场中的介质损耗等方面掌握和理解的程度以及分析问题和解决问题的能力。
（1）恒定电场中电介质的极化； （2）恒定电场中电介质的电导；（3）交变电场中电介质的损耗。
主要参考书目：
（1）电介质物理导论，李瀚如编，成都电子科技大学出版社；
（2）电介质物理基础，孙目珍，华南理工大学出版社；
（3）电介质物理，张良莹、姚熹，西安交通大学出版社。
4、面试分数：100分
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